ホットステージ「基板加熱機構」 Max1800℃

加熱・基板上下昇降・基板回転・RF/DC基板バイアス

装置構成に合わせて自在にカスタマイズが可能, Depo-Up & Down, 特注基板ホルダー, 基板回転・上下昇降, 傾斜加熱, 逆スパッタリング機能など多彩な機能がこの一台に全て収まります。
多彩なヒーター素線:NiCr, Graphite, CCC, Inconel, Tungsten, Molybenum, SiC/PBN/PGコート, ハロゲンランプ他10種類

基板加熱ヒーター, ウエハー加熱, 加熱ステージ, ウエハーアニール

概要

ホットステージは、上下昇降機構(基板ホルダー部・ヒーターヘッド部のいずれか、又は両方)、基板回転、RF/DC基板バイアス(逆スパッタ RF/DCクリーニング)、加熱部傾斜など、基板加熱ステージに求められる様々な機能を装備した「All-in-One」コンポーネントです。半導体製造装置・各種真空装置(蒸着装置、スパッタ、CVD装置)などのあらゆるご要求に対応致します。

基板加熱ヒーター, ウエハー加熱, 加熱ステージ, ウエハーアニール2inch Hot Stage_800C

基板加熱ヒーター, ウエハー加熱, 加熱ステージ, ウエハーアニールWafer Tray_lift up

用途・採用事例

◉ 半導体製造・薄膜実験装置・RF/DC逆スパッタ, PECVD, RIE等
◉ 既設装置の加熱機構部をホットステージに交換(800℃仕様→Max1600℃へ改造)
◉ 新規プロセス評価機、試作機など

加熱部仕様

◉ NiCrヒーター
◉ Inconelヒーター
◉ タングステンヒーター
◉ モリブデンヒーター
◉ ハロゲンランプヒーター
◉ Graphiteヒーター
◉ C/Cコンポジットヒーター
◉ 各種コーティングヒーター(PG, PBN, SiCコーティング, グラッシーカーボン)

※ 使用温度、データは「セラミック・トップ・ヒーター」を参照下さい。

各部名称


Hot Stage Structure

外径寸法

Hot Stage_Graphite element

大気側

Z軸機構

4inch 1200C Hot Stage

RF plasma generation