SiC3コート カーボン部品
立方晶炭化珪素CVD-cubic coat【SiC3コーティング】カーボン
短納期！ 長寿命、密着性・均一性に優れたSiCコート部材
高純度・高耐熱性・熱伝導性等の基本性能に優れたCVD-Cubic SiC（立方晶炭化珪素）コーティングカーボン部品を製作致します。ご要望に応じた形状にて都度設計製作承ります。
※ 母材は高純度グラファイトのみとなります。
※ ご支給材料へのコーティングは行っておりませんのでご了承下さい。
◉『短納期！』 最短納期でお届け致します。受注後最短6週間〜最長8週間にて納入致します（形状・数量・ご要望仕様協議の上納期回答申し上げます）。 |
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◉ コーティング厚（*ご要望承ります）最薄20μm〜最厚120μm |
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◉ 膜厚均一性（*100μmの場合）最小誤差：±5μm 〜 最大誤差：±10μm |
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◉ 微細形状にもコートが可能アスペクト比 5：1 *例）Φ3mmホール x 深さ15mmブラインドホールへのコートも可能 |
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短納期！ 耐熱性・耐食性・耐摩耗性に優れたSiCコート部材高純度・高耐熱性・熱伝導性等の基本性能に優れたCVD-Cubic SiC（立方晶炭化珪素）コーティングカーボン部品を製作致します。ご要望に応じた形状にて都度設計製作承ります。 |
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 5" receptor, 3" recess
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 G4-6", 4" susceptor
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 Ultra Thin, 6" susceptor for GaN Epitaxy
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 G4-8", 7x2" susceptor
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 G5-4" Outer
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 G5-6" Inner
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 G5-6" Outer
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 SiC Gas Inlet Tube
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 SEM surface analysis
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 SEM fracture analysis
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最小Φ1mm x 深さ5mmまでのブラインドホールへのコートも可能
（アスペクト比 5：1 ＊写真はΦ1mm x 5mm）
用途エピタキシャル成長用ウエハ、単結晶引き上げ装置部材、MOCVD用サセプター、ウエハートレー、ホルダー、SiCコーティングヒーター、るつぼ、等 |
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SiC3 specification
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Impurity data
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XRD diagram
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Surface roughness
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