1. “High Quality Monolayer Graphene Synthesized by Resistive Heating Cold Wall Chemical Vapor Deposition”Advanced Materials誌, 2015, DOI: 10.1002/adma.201501600 （著者：Thomas H. Bointon, Matthew D. Barnes, Saverio Russo, Monica F. Craciun）
2. “Transparent Conductive Graphene Textile Fibers”, Scientific Reports誌, 2015, DOI: 10.1038/srep09866（著者：Neves, A. I. S., et al.,）
3. “Residual Metallic Contamination of Transferred Chemical Vapor Deposited Graphene”, ACS Nano誌, 2015, DOI: 10.1021/acsnano.5b01261（著者：Lupina, G., et al.,）

1. 1kV 4H-SiC JBS Rectifiers Fabricated Using an AlN（216KB）
2. Activation of Implanted Al and Co Implanted AlC or AlSi in 4H-SiC（PDF 2.4MB）
3. AlN Deposition by MOVPE and PLD Used as an Encapsulate for Ion Implanted SiC（215KB）
4. PLD AlN films for high temperature SiC MIS devices (740KB)
5. High quality optoelectronic grade epitaxial AlN films on a-Al2O3, Si and 6H-SiC by PLD (787KB)

※ BWS社、及び当社の使用許可なく無断転用することを固く禁じます。

1. 放射率表
2. IR Window Selection：覗き窓材質の選定について

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